電腦運行遲緩、手機打開應用卡頓，相信這兩種情況都是大家在日常生活中經常遇到的。系統反應遲緩的原因非常多，其中占比最多的就是內存消耗過大造成的卡頓。不過這個讓人生厭的問題在未來或許能夠被順利解決，近日IBM宣布在內存處理技術上獲得了重大突破，這項突破將幫助電子設備提高運行速度。
根據報道，IBM當地時間周二宣布了其在“相變化內存”技術上取得的重大進步，而這一技術進步則將幫助人們突破現有電子設備運行速度的瓶頸。
事實上，“相變化內存”多年來一直處于研發階段，但IBM認為這項技術的成本已降至了可被消費者電子設備接受的范圍內。同時，這一技術對于諸如Facebook這些需要迅速訪問大量信息的企業也會帶來巨大幫助。
據悉，IBM研究員哈里斯-珀奇迪斯在當時間周二的巴黎存儲技術大會上首次公布了公司取得的這一成績，而他則相信“相變化內存”會在2017年正式投入商用。
簡單來說，“相變化內存”需要對芯片內特殊微型玻璃材料進行電加熱，而這些材料中每個單元的降溫方式則決定了芯片中所保存的數據大小。比如，在逐步降溫的過程中，材料原子將會呈晶格式排列。而在迅速降溫時，材料原子的排列將雜亂無章。不過，IBM已經對這項技術進行了改進以確保其能夠存儲更多的數據位。而早在2011年，IBM就成功實現了在單個單位中保存兩位數據。
在本周巴黎存儲技術大會上，珀奇迪斯宣布“相變化內存”單位已可以保存三位數據。而在一塊芯片中保存更多的數據就意味著這一技術成本的下降，因此其相較于傳統存儲技術也更具競爭優勢。
大多數人都將計算機、電子設備在近年來取得的逐步進步認作是理所應當的事情。但事實上，無論是筆記本變得更薄還是網絡速度變得更快的背后都凝聚了無數人的辛勤勞動和付出。而且，將一項新技術正式投入商用也不是一件簡單的事情。
目前，人們使用的手機和PC設備通常會同時使用兩種技術保存數據，它們分別是能耗較大的DRAM動態存儲和存取速度較慢、成本較低、即便在斷電情況下也能保存數據的閃存。不過，“相變化內存”結合了DRAM和閃存的優點。具體來說就是，DRAM動態存儲的存取速度是“相變化內存”的5到10倍，但后者的存取速度卻是閃存的70倍左右。因此，使用“相變化內存”技術的手機應用加載速度將比閃存更快。
按照目前的發展趨勢，IBM認為在未來的某一天相變化內存技術的成本終將低于目前傳統的DRAM。如果順利的話，其成本甚至有可能降低到與閃存相當，不過這一過程將有可能較為緩慢且充滿艱辛。另一方面，目前很多廠商已經在閃存的改進方面取得了較為明顯的成績。蘋果公司的新一代平板電腦就是最好的例子。
